碳化硅三极管基本结构碳化硅三极管的基本结构包括P型掺杂区、N型掺杂区和N型掺杂区。P型掺杂区和N型掺杂区之间的结构形成了PN结,起到了一个整流作用。P型掺杂区与N型掺杂区之间的结构形成了一个二极管。N型掺杂区与N型掺杂区之间的结构形成了NPN型的三极管。整个结构被封装在一个金属外壳中,以保护器件免受外界环境的影响。碳化硅三极管优缺点碳化硅三极管相比传统的硅材料制成的三极管具有以下优点:1、高温特性

硅光电二极管基本结构硅光电二极管的基本结构包括P型硅区域、N型硅区域和PN结。P型硅区域富含正电荷载流子,N型硅区域富含负电荷载流子。PN结是P型和N型材料的接触面,形成一个电势垒。当光照射到PN结时,光能被吸收,产生电子-空穴对,进而产生电流。硅光电二极管特点1、高灵敏度:硅光电二极管对光信号非常敏感,能够接收到比人眼还要微弱的光信号。2、宽波长范围:硅光电二极管能够接收到可见光和近红外光,波长

半导体硅概述半导体硅用量或产量以单晶硅数量(以吨计)和硅片面积(平方英寸)来表述。是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的硅材料，主要包括硅粉、硅棒、硅片、籽晶、单晶硅、多晶硅、半导体晶体管、单晶硅棒、单晶硅片、单晶硅切磨片、单晶硅抛光片、单晶硅外延片、单晶硅太阳能电池板、单晶硅芯片、砷化镓、单晶锗、太阳能电池圆片、方片、二级管、三级管、硅堆、复合半导体器件、微波射频器件、可控硅器件、高频管、低

单向可控硅原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。单向可控硅区别双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联

DOBON导热硅胶片概述随着电子设备不断将更强大的功能集成到更小组件中，温度的升高会导致设备运行速度减慢、器件工作中途出故障、尺寸空间限制以及其它很多性能方面的问题。因此温度控制已经成为设计中至关重要的挑战之一，即在架构紧缩，操作空间越来越小的情况下，如何有效地带走更大单位功率所产生的更多热量。DOBONZ导热硅胶片是你最好的选择。DOBON导热硅胶片作用DOBON导热硅胶片具有一定的柔韧性、优良

可控硅整流电源构成1主电路可控硅整流电源主电路的形式不仅决定了该种电源的性能，而且还决定了其体积的大小和成本的高低本文介绍的电源主电路主要由三柠变压器，三相可控硅整流桥和最流电抗器组成1．1三相变压船三相变压器采用A／A型接法，副边同时输出一组Y型接法的同步信号。其优点是变压器线圈本身构成回路，减少了网路三次谐波的影响+同时也提高了抗网路波形畸变的能力。简化了变压器的制造工艺。1．2三相可控硅整流

可控硅触发电路主要应用于以下负载*以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。*盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。*整流变压器、调功机（纯电感线圈）、电炉变压器一次侧、直流电机控制。*单相电焊机、电阻焊机、点焊机控制等各种调场合。*单相风机水泵调速节能控制*电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。可控硅触发电路其他说明用单结晶体管构成的晶闸管触发电路所示，

单晶硅压力变送器工作原理传感器模块采用全焊接技术，内部拥有一个整体化的过载膜片，一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连，传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连，压力通过隔离膜片和填充液，传递给传感器内的硅芯片，使压力传感器的芯片的阻值发生变化，从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比，再由适配单元和放大器转化成一标

可控硅电力控制器简介三相可控硅电力控制器是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。该控制板带锁相环同步电路、自动判别相位、缺相保护、上电缓起动、缓关断、散热器超温检测、恒流输出、电流限制、过流保护、串行工作状态指示等功能。控制板的特点：十位A/D，输出线性化程度高，输出起控点低。该电力调整器与带0-5V、4-20mA的智能PID调节器或PL

单晶硅简介单晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。晶体性质单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加；有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成P型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷

可控硅控制板特点该控制板采用零电压软启动和慢启动的功能，并采用了双闭环调节系统，能100%可靠启动，并且启动无冲击。该控制板系统调整点少，控制板安装好后，用户只需过流、过压、限流、限压调整好即可。该控制板控制的电源设备对各种负载的适应性强。可控硅控制板说明可控硅控制板采用三相电源同步输入，省去了体积较大同步变压器，采用内置固态继电器代替了中间继电器，进行启动和停止的控制。节省了成本和设备的体积。据

单晶硅棒技术规格导电类型P型（Conductivity:PType(BoronDoped)），掺杂剂B；电阻率（Resistivity）：0.5Ω～3Ω,3Ω～6Ω氧含量（OxygenConcentration）≤1.0×1018at/cm3碳含量（CarbonConcentration）≤5.0×1016at/cm3C少子寿命（MinorityCarrierLifetime）＞5us

可控硅控制器简介js3000@系列可控硅控制器js3000@可控硅控制器是一种以可控硅（又名：晶闸管）（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器，又称可控硅调功器，可控硅调整器，可控硅调压器，晶闸管调整器，晶闸管调压器，电力调整器，电力调压器，功率控制器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。js3000@可控硅控制器组成js3000@可控

单晶硅片简介单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后

据金鼎资本消息，近日，国内碳化硅芯片设计公司深圳市至信微电子有限公司（以下简称“至信微电子”）宣布完成数千万元天使+轮融资，本轮融资由深圳高新投领投，半导体产业基金前海扬子江基金，思脉产融以及老股东金鼎资本、太和资本参投。本轮融资资金将用于加速公司产品研发、团队扩建以及市场拓展等。资料显示，至信微电子成立于2021年，是一家专注于碳化硅功率器件研发的高科技公司，主打产品为碳化硅MOSFET及模组等

据“衢州智造新城”消息，近日，衢州三时纪年产24000吨（一期12000吨）高端集成电路封装和5G通讯球硅填料用新型电子基材产业化项目开工仪式在智造新城高新片区举行。消息显示，该项目计划总投资10.8亿元，用地约114亩，达产后预计可实现年营业收入约20亿元。项目的实施不仅将进一步推动衢州集成电路产业的发展，还将打破高端球硅领域被国外企业长期垄断的局面，解决现有材料在5G通讯和先进封装中的技术缺陷

据东风汽车官方消息，东风旗下智新半导体碳化硅功率模块项目将于2023年实现量产装车。同时，东风汽车与中国信科共建的汽车芯片联合实验室，正在推进车规级MCU芯片在汉落地，预计2024年实现量产；与中芯国际合作，已完成设计首款MCU芯片。作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。据介绍，碳化硅功率模块项目于2021年1月在智新立项，目前课题

美国时间12月1日，全球第三大硅晶圆制造商环球晶圆（GlobalWafers）在美国德州谢尔曼市举行12英寸晶圆厂GlobalWafersAmerica动土典礼，这也是时隔20年后，美国迎来的首座硅晶圆厂。环球晶圆强调，美国德州新硅晶圆厂预计两年内可陆续完成新厂建造、设备安装、客户送样及量产。德州新硅晶圆厂占地58公顷，预计可为未来阶段式扩建提供充足的空间。根据此前的资料，环球晶圆新12英寸硅晶圆

12月1日，据报道，意法半导体和Soitec宣布下一阶段的碳化硅（SiC）衬底合作，意法半导体计划在未来18个月内对Soitec的SiC衬底技术进行认证。此次合作的目标是意法半导体在未来的8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，为其器件和模块制造业务提供动力，预计将在中期量产。“向8英寸SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大的优势，因为他们加速了向系统和产品电气化的过渡

美国时间12月1日，全球第三大硅晶圆制造商环球晶圆（GlobalWafers）在美国德州谢尔曼市举行12英寸晶圆厂GlobalWafersAmerica动土典礼，这也是时隔20年后，美国迎来的首座硅晶圆厂。环球晶圆强调，美国德州新硅晶圆厂预计两年内可陆续完成新厂建造、设备安装、客户送样及量产。德州新硅晶圆厂占地58公顷，预计可为未来阶段式扩建提供充足的空间。根据此前的资料，环球晶圆新12英寸硅晶圆

据苏州纳米城消息，11月23日，希科半导体（苏州）有限公司（以下简称“希科半导体”）在苏州纳米城III期召开碳化硅（SiC）外延片投产发布会。现场还举行了投资签约仪式，助力公司技术研发和产业化加速推进。据悉，该产品日前通过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和某国家重点实验室的双重检测。资料显示，希科半导体成立于2021年8月，坐落于苏州纳米城III区第三代半导体产业园，是一家致力于发

11月10日，半导体封测大厂日月光位于马来西亚槟城的两座新厂（四厂及五厂）正式动工。据悉，这两座新建的半导体封装测试厂房建筑面积为982,000平方英尺，计划于2025年完工，为当地创造2,700个就业机会。新厂完工后，总建筑面积将达到200万平方英尺，是当前厂房面积的两倍。新厂房的核心产品是有大量需求的铜片桥接(copperclip)和图像感测器封装产品。此外，日月光还宣布，将在5年内投资3亿美

11月2日，美国射频解决方案龙头企业Qorvo宣布与SKSiltron的美国子公司SKSiltronCSS敲定了一项SiC衬底和外延片多年供货协议。据了解，SKSiltronCSS本是杜邦的SiC事业部，于2019年被韩国SK集团旗下SKSiltron收购，成为后者在美国的子公司，主要向半导体制造商提供化合物半导体晶圆解决方案。去年，SKSiltronCSS连续追加在美国的投资，先于7月宣布三年投

据丽水发布消息，11月2日，丽水中欣晶圆大直径硅片外延项目建设正式宣告竣工，即将进入试产阶段。消息显示，丽水中欣晶圆大直径硅片外延项目总投资40亿元，首期建设项目年产120万片8英寸（以特殊需求外延片为主）、年产240万片12英寸外延片，未来可扩产至8英寸年产240万片、12英寸年产360万片，预计2024年全部达产后可实现年产值50亿元。该项目是2022年浙江省重点建设项目以及2022年丽水市重

021年6月8日–推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一对1200V完整的碳化硅(SiC)MOSFET2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车(EV)市场的产品系列。随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需

据“中国电科”消息，近日，电科材料所属普兴公司新外延材料产业基地第一片硅外延和碳化硅外延相继“出炉”，标志着新产业基地进入试生产和验证阶段。电科材料稳步推进硅基外延产业发展，积极布局第三代半导体外延材料的研发生产，经过建设，近日实现了新产业基地首片硅外延和碳化硅外延下线，后续将进行新品全尺寸检测评估并向客户提供验证样片。消息称，项目投产后，将成为国内最大的半导体外延材料研发生产基地，为推动半导体材