FRAM优势与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：非易失性即使没有上电，也可以保存所存储的信息。与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）更高速度写入像SRAM一样，可覆盖写入不要求改写命令对于擦/写操作，无等待时间写入循环时间=读取循环时间写入时间：E2PROM的1/30,000具有更高的读写耐久性确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力耐久性：超过100万次的E2PROM具有更低的